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伏安特性曲线的相关原理

归档日期:09-04       文本归类:多分辨率曲线      文章编辑:爱尚语录

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  7209获赞数:194861全国大学生英语竞赛一等奖获得者;向TA提问展开全部伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。这种图像常被用来研究导体电阻的变化规律,是物理学常用的图像法之一。相关原理二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。正向特性:u0的部分称为正向特性。反向特性:u0的部分称为反向特性。

  反向击穿:当反向电压超过一定数值U(BR)后,反向电流急剧增加,称之反向击穿。

  变容二极管:当PN结加反向电压时,Cb明显随u的变化而变化,而制成各种变容二极管。如下图所示。

  非平衡少子:PN结处于正向偏置时,从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

  扩散电容:扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同,这种电容效应称为Cd

  展开全部二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示:正向特性:u0的部分称为正向特性。反向特性:u0的部分称为反向特性。反向击穿:当反向电压超过一定数值U(BR)后,反向电流急剧增加,称之反向击穿。势垒电容:耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

  变容二极管:当PN结加反向电压时,Cb明显随u的变化而变化,而制成各种变容二极管。如下图所示。

  非平衡少子:PN结处于正向偏置时,从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

  扩散电容:扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同,这种电容效应称为Cd

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